首颗媲美7纳米的国产芯片量产,证明芯片堆叠可以替代EUV光刻机

日前一家国产芯片企业推出了一款AI芯片,采用12纳米工艺生产,性能却可以媲美7纳米芯片,印证了以芯片堆叠技术倍增芯片性能的可行性,EUV光刻机将不再是阻止国产芯片推出接近7纳米工艺的障碍。

首颗媲美7纳米的国产芯片量产,证明芯片堆叠可以替代EUV光刻机

据报道指北极雄芯发布了一款AI芯片“启明930”,采用中国芯片力推的RISC-V架构,由国内芯片制造企业以12纳米工艺生产,可以说是一款完全自主研发、自主生产的芯片,不受海外芯片技术的影响。

这款芯片的特别之处在于它虽然采用了12纳米工艺生产,但是通过采用国产chiplet技术,芯片的算力却最高达到了20TOPS,已与7纳米工艺芯片相当,可以说是国产芯片首次真正将chiplet技术应用于量产芯片上,同时也证明了chiplet技术可以大幅提升以成熟工艺生产的芯片性能。

中国芯片企业对于chiplet技术提出了两个方向,一种是将两枚14纳米工艺的芯片堆叠在一起从而将芯片性能倍增,另一种是将不同功能的芯片封装在一起提升芯片性能,这次的AI芯片可能同时应用了这两种chiplet技术,从而实现了性能翻倍的目标。

这款AI芯片的发布,印证了chiplet技术的可行性,达到7纳米的性能已能满足国内九成的芯片需求,这对于国产芯片来说无疑是巨大的进步,美国和ASML意图通过阻止中国获得EUV光刻机而限制中国发展7纳米的目标将由此破灭。

EUV光刻机被认为是发展7纳米及更先进工艺的关键,但是2018年中国一家芯片企业就已支付1.2亿美元订购EUV光刻机,却至今未能到货,这对中国发展先进工艺造成了困扰,然而这几年中国并未因此探索先进工艺的发展路径。

上述提到的chiplet技术正是中国芯片行业努力的方向,也是当前中国芯片发展先进芯片的最可行方向,如今这款媲美7纳米的AI芯片推出,证明了中国已拥有绕开EUV光刻机限制的技术路径。

其实chiplet技术如今也是全球芯片行业发展的技术方向,受制于3纳米及更先进工艺的技术难度以及成本,包括美国芯片领军者Intel都在力推chiplet技术,台积电也以chiplet技术为英国一家AI芯片企业生产了芯片,将7纳米芯片封装在一起从而取得了5纳米的性能,如今中国也实现了这一技术,证明了中国芯片的技术已达到较高水平。

中国在chiplet技术上其实可以达到更高的水平,长电科技已具有4纳米chiplet技术,通富微电则拥有5纳米chiplet技术,并且通富微电的5纳米chiplet技术还获得了AMD的认可而取得它数年的订单合同,显示出中国发展chiplet技术已与台积电等相当。

当然chiplet技术也并非没有限制,chiplet技术可能导致芯片功耗过高,这是当前已推出的诸多chiplet技术芯片都是AI芯片等可以应用于服务器等产品的芯片,而手机芯片却还没看到这项技术应用的原因,毕竟手机的空间窄小,散热是个大问题,不过这种技术对于汽车、PC、服务器等行业却是适用的,对国产芯片在这些行业的发展有利。

最重要的是由于中国芯片行业如今获得EUV光刻机难度太大,在部分行业可以解决7纳米限制终究是巨大的进步,已在很大程度上满足了国内芯片行业的需求。

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